IRFH5210TRPBF

1. کاهش تلفات رسانایی
2. اتلاف حرارتی بهتر را امکان پذیر می کند
3.افزایش قابلیت اطمینان
4. افزایش چگالی توان
5. سازگاری چند فروشنده
6. ساخت آسانتر
7. دوستدار محیط زیست
8-افزایش قابلیت اطمینان

شماره قطعه سازنده:IRFH9310TRPBF
سازنده / برند بین المللی یکسو کننده (Infineon Technologies)
بخشی از توضیحات: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی: نو اصلی، 12000 عدد موجود است.
ارسال از: هنگ کنگ
روش ارسال: DHL/Fedex/TNT/UPS
ارزش ویژگی ویژگی محصول ویژگی را انتخاب کنید
شماره قطعه IRFH9310TRPBF
تولید کننده / یکسو کننده بین المللی برند (Infineon Technologies)
مقدار موجودی 12000 عدد استوک
رده محصولات نیمه هادی گسسته > ترانزیستورها - FETs، MOSFETs - Single
توضیحات MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: بدون سرب / سازگار با RoHS
عرض - داخل -55 درجه سانتیگراد ~ 150 درجه سانتیگراد (TJ)
ولتاژ/جریان - خروجی 1 PQFN (5x6)
تحمل 5250pF @ 15V
دم نوع P-Channel
ماسفت زاویه ای مرحله ای (اکسید فلز)
فن آوری های Infineon دما کاهش می یابد
نوع SFP/XFP ±20V
قابلیت کنترل از راه دور HEXFET®
زمین - کابل سطحی نصب
نام‌های دیگر بدون سرب / RoHS Compliant
نام های دیگر 1
نوسان ساز نوع 8-PowerVDFN
تعداد 30 ولت DAC
حداقل وزن مخصوص مایع -
جهت جفت گیری 4.6 میلی اهم @ 21 آمپر، 10 ولت
شماره قطعه سازنده IRFH9310TRPBFDKR-ND
طول - بشکه Digi-Reel®
رنگ لامپ 4.5 ولت، 10 ولت
ولتاژ سمت بالا - حداکثر (بوت استرپ) 21 آمپر (تا)، 40 آمپر (Tc)
عملکرد 58nC @ 4.5V
کویل برق فعال
ظرفیت کانال (CS(خاموش)، CD(خاموش)) 3.1W (Ta)
کارت خوان نوع 2.4V @ 100μA
ویژگی ها و مزایا
ویژگی های مزایای حاصل
تلفات رسانایی پایین RDSon (≤ 4.6mΩ).
سازگاری چند فروشنده بسته PQFN استاندارد صنعت
سازگار با RoHS بدون سرب، بدون برمید و بدون هالوژن دوستدار محیط زیست
منجر می شود به
توجه داشته باشید
مقدار فرم
نوار IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm و قرقره 4000
شماره قطعه قابل سفارش نوع بسته بسته استاندارد
VDS -30 V
حداکثر RDS (روشن)
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (معمولی) 110 nC
RG (معمولی) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
اعتبار حداکثر مطلق
واحدهای پارامتر
VDS ولتاژ تخلیه به منبع
VGS Gate-to-Source Voltage
شناسه @ TA = 25 درجه سانتیگراد جریان تخلیه مداوم، VGS @ -10 ولت
شناسه @ TA = جریان تخلیه مداوم 70 درجه سانتیگراد، VGS @ -10 ولت
شناسه @ TC = جریان تخلیه مداوم 25 درجه سانتی گراد، VGS @ -10 ولت (سیلیکون محدود)
شناسه @ TC = جریان تخلیه مداوم 70 درجه سانتیگراد، VGS @ -10 ولت (سیلیکون محدود)
شناسه @ TC = جریان تخلیه مداوم 25 درجه سانتی گراد، VGS @ -10 ولت (بسته محدود)
جریان تخلیه پالس IDM
PD @TA = 25 درجه سانتیگراد اتلاف نیرو
PD @ TA = 70 درجه سانتیگراد اتلاف نیرو
ضریب کاهش خطی W/°C
TJ Operating Junction و
محدوده دمای ذخیره سازی TSTG
رتبه بندی تکراری؛عرض پالس با حداکثر محدود شده است.دمای محل اتصال
شروع TJ = 25 درجه سانتیگراد، L = 1.1mH، RG = 50Ω، IAS = -17A.
عرض پالس ≤ 400µs؛چرخه وظیفه ≤ 2%.
هنگامی که بر روی تخته مس مربع 1 اینچی نصب می شود.
Rθ در TJ تقریباً 90 درجه سانتیگراد اندازه گیری می شود.
فقط برای DESIGN AID، مشمول آزمایش تولید نیست.